ABD’nin büyük yaptırımlarına karşın Huawei, yarı iletken teknolojilerinde son süratle ilerlemeye devam ediyor. Şirket, 2026 yılında 3nm üretim sürecinde deneme üretimine geçmek üzere hazırlıklarını sürdürüyor.
Huawei, 3nm çip üretimine geçiyor
Geliştirilecek yeni jenerasyon çiplerde GAA (Gate-All-Around) transistör teknolojisi ve iki boyutlu gereçleri kullanılacak. Bu üretim süreci, daha yüksek performans ve güç verimliliği sunan yeni bir mimariye dayanıyor.
ABD teknolojilerini kullanan tüm tedarikçilerin Huawei’ye satış yapması yasaklanmış durumda. Bu süreçte elindeki çip stoklarını kullanan Huawei, daha sonra SMIC’in 7nm üretim süreciyle geliştirilen Kirin 9000S yongasıyla pazara geri döndü.
Mayıs ayı başında duyurulan HarmonyOS işletim sistemli birinci bilgisayarda, 5nm süreciyle geliştirildiği belirtilen Kirin X90 yongası kullanıldı. Tahlillerde, bu çipin üretiminde SMIC’in N+2 olarak isimlendirilen 7nm üretim süreciyle birlikte JCET’in 4nm düzeyindeki paketleme teknolojisinin kullanıldığı söz ediliyor.
Beklenen oldu! Elon Musk istifa etti
Elon Musk, ABD hükümetindeki hükümet verimliliği departmanı vazifesinden ayrıldığını toplumsal medya üzerinden duyurdu.
SMIC’in en gelişmiş üretim süreci olan 7nm’de ise verimlilik oranının %50 düzeylerinde olduğu bildiriliyor. Bu düşük randımanın esas nedeni olarak, Çin’in EUV (Aşırı Ultraviyole) litografi makinelerine erişememesi gösterdi.
Huawei, 5nm teknolojisinde EUV litografiye olan bağımlılığı ortadan kaldırmak hedefiyle Çinli ekipman üreticileriyle birlikte hareket ediyor. Litografi makinelerinde, Shanghai Micro Electronics’in geliştirdiği SSA800 serisi stepper sistemleri kullanılıyor.
Şirket içerisinde yürütülen çalışmalarda, 3nm düzeyinde karbon nanotüp tabanlı yongaların da laboratuvar doğrulamasını geçtiği belirtiliyor. Bu karbon bazlı çipler için, SMIC tesislerinde üretim sınırına uyarlama süreci devam ediyor.
Peki siz bu mevzu hakkında ne düşünüyorsunuz? Görüşlerinizi aşağıdaki yorumlar kısmından bizimle paylaşabilirsiniz.
Kaynak : Shiftdelete
